NPN Low Sat Transistor The BCW66 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Infineon. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45 V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5 V
- **Collector Current (I_C)**: 800 mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 330 mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125 - 630 (at I_C = 2 mA, V_CE = 5 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 100 MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BCW66 transistor.

NPN Low Sat Transistor The BCW66 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by JAT (Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd.). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN BJT  
- **Package**: SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 32V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 32V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 800mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 330mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–630 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the factual specifications provided for the BCW66 transistor by JAT.