Power LDMOS transistor The BLF6G10LS-135R is a power LDMOS transistor manufactured by Freescale Semiconductor (now part of NXP Semiconductors). Below are its key specifications:

1. **Type**: RF Power LDMOS Transistor  
2. **Frequency Range**: 1350 MHz  
3. **Output Power**: 10 W  
4. **Voltage Rating**: 28 V  
5. **Gain**: Typically 15 dB  
6. **Efficiency**: Typically 40%  
7. **Package**: SOT-502A (Flange)  
8. **Application**: Designed for use in RF power amplifiers, particularly in industrial, scientific, and medical (ISM) applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Freescale/NXP.

Power LDMOS transistor The BLF6G10LS-135R is a power transistor manufactured by NXP. Below are its key specifications:

- **Type**: LDMOS RF Power Transistor
- **Frequency Range**: 1350 MHz to 1400 MHz
- **Output Power**: 10 W (typical)
- **Gain**: 15 dB (typical)
- **Efficiency**: 45% (typical)
- **Voltage Supply (VDD)**: 28 V
- **Package**: SOT539A (Flange)
- **Application**: Designed for use in RF power amplifiers, particularly in industrial, scientific, and medical (ISM) applications.

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.

Power LDMOS transistor The **BLF6G10LS-135R** from NXP Semiconductors is a high-performance LDMOS RF power transistor designed for demanding applications in the industrial, scientific, and medical (ISM) frequency bands. Operating in the 1350–1400 MHz range, this component delivers robust power amplification with high efficiency, making it suitable for RF energy systems, plasma generation, and microwave heating.  

Engineered for reliability, the BLF6G10LS-135R features excellent thermal stability and ruggedness, ensuring consistent performance under high-power conditions. Its advanced silicon technology provides superior gain and linearity, reducing distortion in high-frequency applications. The device is housed in a compact, industry-standard package, facilitating easy integration into existing RF circuit designs.  

Key specifications include a typical output power of 10 W and high power-added efficiency (PAE), making it an optimal choice for energy-efficient systems. The transistor's low thermal resistance enhances heat dissipation, prolonging operational lifespan even in continuous-duty scenarios.  

Designed for professional RF engineers, the BLF6G10LS-135R meets stringent quality and performance standards, offering a dependable solution for high-power RF amplification. Its combination of power, efficiency, and durability makes it a preferred component in advanced RF applications.