Power LDMOS transistor The BLF6G22L-40BN is a high-power LDMOS transistor manufactured by NXP. Here are its key specifications:  

- **Frequency Range:** 2110–2170 MHz  
- **Output Power:** 40 W (typical)  
- **Gain:** 17 dB (typical)  
- **Efficiency:** 40% (typical)  
- **Voltage Supply (VDD):** 28 V  
- **Package:** SOT1229 (flange package)  
- **Application:** Designed for use in RF power amplifiers, particularly in cellular infrastructure applications such as 3G and 4G base stations.  

The transistor is optimized for high linearity and efficiency in the 2.1 GHz frequency band.