N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSS89 from INFINEON is an N-channel enhancement mode MOSFET. Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 250V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 0.1A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 30Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.5V (min) to 3V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 3.5pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1.8pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 0.25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 5ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 25ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 10ns (typical)  
- **Package**: SOT-223  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSS89 is a dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: Dual N-channel enhancement mode FET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 25V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50mA per channel  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 360mW  
- **Operating and Storage Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: Typically 100Ω at V_GS = 10V, I_D = 5mA  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 3.5pF typical  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 1.0pF typical  
- **Package**: SOT363 (SC-88)  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BSS89.

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSS89 is a small-signal N-channel MOSFET manufactured by Philips (now NXP Semiconductors).  

**Key PH (Philips) Specifications for BSS89:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.8V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3.5pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1.8pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 0.3pF (typical)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 10mA  

The device is housed in a SOT23 package.  

(Source: Philips/NXP datasheet)

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor The BSS89 is a dual-gate MOSFET manufactured by Siemens. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel dual-gate MOSFET  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS)**: 20V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±8V  
- **Drain Current (I_D)**: 30mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2.5pF (typical)  
- **Forward Transfer Admittance (|Y_fs|)**: 10mS (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  
- **Package**: SOT-143  

These specifications are based on Siemens' datasheet for the BSS89.