Silicon Diffused Power Transistor The part **BU4506DZ** is manufactured by **PHILIPS**.  

**Specifications:**  
- **Type:** High-voltage NPN transistor  
- **Application:** Designed for use in deflection circuits of color TVs  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 6A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 50W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Package:** TO-220 (isolated)  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

Silicon Diffused Power Transistor The part number **BU4506DZ** is a **high-voltage, high-speed switching diode** manufactured by **ROHM Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** High-voltage switching diode  
- **Maximum Reverse Voltage (V_R):** 600V  
- **Average Rectified Forward Current (I_F(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM):** 30A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (V_F):** 1.3V (typical at 1A)  
- **Reverse Recovery Time (t_rr):** 150ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-214AC (SMA)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- High-voltage rectification  
- Flyback diodes in inductive load circuits  

This diode is designed for **fast switching** and **high-voltage** applications.  

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