The BUK454-200B is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in various electronic circuits. Known for its low on-state resistance and high current-handling capability, this component is widely used in power supplies, motor control systems, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of up to 14A, the BUK454-200B offers reliable performance in demanding environments. Its low gate charge and fast switching characteristics make it suitable for high-frequency applications, minimizing power losses and improving overall efficiency.  

The MOSFET features a robust TO-220 package, ensuring effective thermal management and mechanical durability. Its design incorporates advanced silicon technology, providing enhanced reliability and protection against overcurrent and overheating conditions.  

Engineers and designers favor the BUK454-200B for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, this component delivers consistent operation and long-term stability.  

For detailed specifications and application guidelines, referring to the manufacturer's datasheet is recommended to ensure optimal integration into circuit designs.

- **Type**: N-channel enhancement mode vertical DMOS FET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 48A  
- **Power Dissipation (PD)**: 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.4Ω (max) at VGS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)  
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 70ns (typical)  
- **Fall Time (tf)**: 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AB  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.