The BUK456-60A is a robust N-channel power MOSFET designed for high-performance switching applications. Manufactured by Philips, this component is engineered to deliver efficient power handling with low conduction losses, making it suitable for a wide range of industrial and automotive systems.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of 60V and a continuous drain current (I_D) of 45A, the BUK456-60A excels in demanding environments. Its low on-resistance (R_DS(on)) ensures minimal power dissipation, enhancing overall system efficiency. The device also features fast switching capabilities, which are critical for high-frequency applications such as DC-DC converters and motor control circuits.  

Encased in a TO-220 package, the BUK456-60A offers reliable thermal performance and ease of mounting. Its rugged construction ensures durability under high-stress conditions, making it a preferred choice for power management solutions.  

Designed with precision and reliability in mind, the BUK456-60A is a versatile component for engineers seeking a balance between performance and cost-effectiveness in power electronics.

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.02Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

- **Type**: NPN Silicon Power Transistor  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 60V  
- **Collector Current (I_C)**: 10A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 50W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 15-60  
- **Transition Frequency (f_T)**: 3MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the manufacturer-provided specifications for the BUK456-60A transistor.