N-channel TrenchMOS standard level FET The **BUK7237-55A** from Philips is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. This electronic component is engineered to deliver efficient switching and low power dissipation, making it well-suited for use in DC-DC converters, motor control circuits, and power supply systems.  

With a drain-source voltage (V_DS) rating of 55V and a continuous drain current (I_D) of up to 30A, the BUK7237-55A offers robust performance in demanding environments. Its low on-resistance (R_DS(on)) ensures minimal conduction losses, enhancing overall energy efficiency. The MOSFET also features fast switching characteristics, which help reduce switching losses in high-frequency applications.  

Packaged in a TO-220AB casing, the BUK7237-55A provides reliable thermal management and mechanical durability. Its design incorporates advanced semiconductor technology to ensure stable operation under varying load conditions.  

Engineers and designers favor this component for its balance of power handling, thermal performance, and compact form factor. Whether used in industrial automation, automotive systems, or consumer electronics, the BUK7237-55A delivers dependable power switching with high efficiency. Its specifications make it a versatile choice for applications requiring precise control and energy optimization.

N-channel TrenchMOS standard level FET The part **BUK7237-55A** is manufactured by **NXP Semiconductors**.  

**Key Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Voltage Rating (VDS):** 55V  
- **Current Rating (ID):** 30A (continuous)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 23 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Package:** TO-220 (single-gauge variant)  
- **Application:** Automotive and industrial power switching  

This MOSFET is designed for high-efficiency power management in demanding environments.  

(Source: NXP datasheet for BUK7237-55A)