The BUK7535-55A is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Philips (now Nexperia) for demanding switching applications. This component is engineered to deliver efficient power management with low on-state resistance (RDS(on)), ensuring minimal power loss and improved thermal performance.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 55V and a continuous drain current (ID) capability of up to 75A, the BUK7535-55A is well-suited for automotive, industrial, and power supply applications. Its robust construction and advanced trench technology enhance reliability in high-current environments.  

Key features include fast switching speeds, low gate charge, and a compact D2PAK (TO-263) package, making it ideal for space-constrained designs. The MOSFET also incorporates built-in protection against electrostatic discharge (ESD), further improving durability in harsh operating conditions.  

Engineers often select the BUK7535-55A for DC-DC converters, motor control systems, and load switching circuits due to its balance of efficiency, power handling, and thermal stability. Its compatibility with standard surface-mount assembly processes ensures ease of integration into modern electronic designs.  

In summary, the BUK7535-55A exemplifies Philips' legacy in power semiconductor innovation, offering a dependable solution for high-efficiency power conversion and control.

Key specifications:  
- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 75A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.0085Ω (typical)  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-power switching applications.  

Let me know if you need further details.

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **R_DS(on) (max):** 5.3mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Package:** TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

Let me know if you need further details.