P-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ171 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.3A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 17A
- **Power Dissipation (P_tot)**: 35W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.12Ω (at V_GS = 10V, I_D = 4.3A)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BUZ171.

P-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ171 is a power MOSFET manufactured by Siemens. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Siemens  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Package:** TO-220  

These are the confirmed specifications for the BUZ171 MOSFET as provided by Siemens.

P-Channel SIPMOS Power Transistor The BUZ171 is a power MOSFET manufactured by Siemens (now Infineon Technologies). Here are its key specifications from the SI (Siemens) datasheet:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.4Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 2A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typical)  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on the original Siemens datasheet. For exact details, refer to the official documentation.