Diodes for Protecting Against ESD The part DF2S12FU is manufactured by TOSHIBA. It is a dual common cathode Schottky barrier diode. Below are its key specifications:

- **Type**: Schottky barrier diode
- **Configuration**: Dual common cathode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 20 V
- **Maximum average forward rectified current (IO)**: 1 A per diode
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Forward voltage (VF)**: 0.55 V (typical at 1 A)
- **Reverse current (IR)**: 0.5 mA (maximum at VR = 20 V)
- **Operating junction temperature (Tj)**: -55°C to +125°C
- **Package**: SMD (Surface Mount Device), specifically in a TO-252 (DPAK) package

These specifications are based on TOSHIBA's official datasheet for the DF2S12FU.