NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR The DTC114E is a digital transistor manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Type**: Digital transistor (built-in resistor)  
- **Polarity**: NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 30 to 300  
- **Built-in Resistors**:  
  - Base resistor (R1): 10kΩ  
  - Base-Emitter resistor (R2): 10kΩ  
- **Package**: SOT-23  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on ROHM's official datasheet for the DTC114E.

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR The DTC114E is a digital transistor manufactured by 华昕 (Huaxin). Here are its specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: Digital transistor (built-in resistor)  
- **Polarity**: NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 20 to 240 (depending on conditions)  
- **Built-in Resistors**:  
  - R1 (Base resistor): 10kΩ  
  - R2 (Base-Emitter resistor): 10kΩ  
- **Package**: SOT-23  

This information is strictly factual from the available data.