80V N-Channel PowerTrench MOSFET FDS3580 is a part manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). The specifications for this part include:  

- **Type**: N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 5.5A  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 50mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V to 2.5V  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS3580.

80V N-Channel PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDS3580 by Fairchild Semiconductor**  

The FDS3580 is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a wide range of electronic applications. With a low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching capabilities, this component is well-suited for power conversion, motor control, and load switching in both industrial and consumer electronics.  

Featuring a compact SO-8 package, the FDS3580 is optimized for space-constrained designs while maintaining excellent thermal performance. Its 30V drain-to-source voltage (V_DSS) rating and continuous drain current (I_D) of up to 6.5A make it a reliable choice for moderate power applications. Additionally, the MOSFET's low gate charge (Q_G) ensures minimal switching losses, enhancing overall system efficiency.  

Engineers often select the FDS3580 for its robust performance in DC-DC converters, battery management systems, and portable devices. Its compatibility with logic-level gate drive voltages further simplifies circuit design, reducing the need for additional driver components.  

As a product of Fairchild Semiconductor's legacy in power electronics, the FDS3580 exemplifies a balance of performance, reliability, and cost-effectiveness, making it a preferred solution for modern power management challenges.