30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET The FDS6681Z is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -37A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typ)  
- **Package**: SO-8 (Surface Mount)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FDS6681Z.

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET **Introduction to the FDS6681Z Power MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FDS6681Z is a high-performance N-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of applications. With a low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching capabilities, this component is well-suited for power conversion, load switching, and motor control circuits.  

Featuring a compact SO-8 package, the FDS6681Z provides a balance of thermal performance and space efficiency, making it ideal for modern electronic designs where board space is limited. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, with a maximum drain-source voltage (V_DS) of 30V and a continuous drain current (I_D) rating of 12A.  

Engineers value the FDS6681Z for its low gate charge and high efficiency, which help minimize power losses in switching applications. Additionally, its avalanche energy rating enhances durability in transient voltage scenarios.  

Common uses include DC-DC converters, battery management systems, and portable electronics. Whether in industrial, automotive, or consumer applications, the FDS6681Z delivers dependable performance, making it a preferred choice for designers seeking a high-quality power MOSFET.

30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET The FDS6681Z is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FAI仙童). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -9.7A  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.025Ω at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Package**: SO-8  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FDS6681Z.