600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth Diode The part **FGB30N6S2DT** is a **600V, 30A N-Channel IGBT** manufactured by **Fairchild Semiconductor** (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching** for improved efficiency  
- **High current capability**  
- **Co-packaged with a freewheeling diode**  

### **Applications:**  
- **Motor drives**  
- **Switching power supplies**  
- **Inverters**  
- **UPS systems**  

This information is based on Fairchild's datasheet for the **FGB30N6S2DT** IGBT.