400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF710S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF710S is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.