250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR224 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFR224  
### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 18A  
- **Power Dissipation (PD):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.085Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 85pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The IRFR224 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **TO-252 (DPAK) package** for efficient thermal performance  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.