400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFR310 & IRFR310A The IRFR310BTF is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC仙童). Below are its factual specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSC仙童)  
- **Part Number:** IRFR310BTF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (at V_GS = 10V, I_D = 4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 11nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The IRFR310BTF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  
- The TO-252 (DPAK) package provides efficient thermal performance and is widely used in surface-mount designs.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.