600V Low VCEon Copack IGBT in a TO-220 package The IRGB4B60K is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 8A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical at 4A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRGB4B60K is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It is suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- The device features a fast switching speed and low conduction losses.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.