600V Low-Vceon Non Punch Through Copack IGBT in a D2-Pak package The IRGS4B60KD1 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRGS4B60KD1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 23A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The IRGS4B60KD1 is a high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It combines low conduction losses with fast switching performance, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  
- Features a rugged design for high reliability in demanding environments.  

### **Features:**  
- Low V_CE(sat) for reduced conduction losses.  
- High current capability with a 600V blocking voltage.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Robust and reliable construction for industrial applications.  
- TO-247 package for efficient thermal management.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.