524,288-bit (64K x 8) high performance CMOS EPROM, 120ns The **NM27C512N-120** is a high-performance **64K x 8-bit (512Kbit) UV-erasable and electrically programmable read-only memory (EPROM)**. Designed for applications requiring non-volatile storage, this component offers reliable data retention and fast access times, making it suitable for embedded systems, industrial controls, and legacy computing applications.  

Featuring a **120ns access time**, the NM27C512N-120 ensures efficient data retrieval, supporting high-speed processing requirements. Its **single 5V power supply** simplifies integration into various circuit designs while maintaining low power consumption. The EPROM utilizes **ultraviolet (UV) light for erasure**, allowing for reprogramming after exposure, though care must be taken to avoid unintended data loss from ambient UV sources.  

With a **standard 28-pin DIP (Dual In-line Package)**, the NM27C512N-120 is compatible with many existing systems and prototyping boards. Its robust architecture ensures durability in demanding environments, making it a dependable choice for firmware storage and system boot applications.  

For developers working with legacy hardware or requiring reprogrammable memory solutions, the NM27C512N-120 remains a practical option, balancing performance, reliability, and ease of use. Proper handling, including UV erasure and reprogramming procedures, is essential to maximize its lifespan and functionality.