IC Phoenix logo

Home ›  P  › P11 > PBSS4350S

PBSS4350S from PHILIPS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

PBSS4350S

Manufacturer: PHILIPS

50 V low VCEsat NPN transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PBSS4350S PHILIPS 20000 In Stock

Description and Introduction

50 V low VCEsat NPN transistor **Introduction to the PBSS4350S Transistor by Philips**  

The PBSS4350S is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed by Philips, now part of Nexperia. This component is optimized for switching and amplification applications, offering reliable performance in a compact SOT-223 package. With a collector current rating of 4 A and a collector-emitter voltage (VCE) of 50 V, it is well-suited for power management, motor control, and general-purpose circuit designs.  

Key features of the PBSS4350S include low saturation voltage, ensuring efficient power handling, and a high current gain (hFE) for improved signal amplification. Its robust thermal characteristics make it suitable for demanding environments, while the SMD package allows for space-efficient PCB integration.  

Engineers and designers often choose the PBSS4350S for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, this transistor provides a dependable solution for medium-power applications.  

For detailed specifications, refer to the official datasheet to ensure compatibility with your circuit requirements.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
PBSS4350S NXP 36000 In Stock

Description and Introduction

50 V low VCEsat NPN transistor **Introduction to the PBSS4350S from NXP Semiconductors**  

The PBSS4350S is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) designed by NXP Semiconductors for switching and amplification applications. With a compact SOT457 (SC-74) package, this component is optimized for space-constrained designs while delivering reliable operation in low-voltage circuits.  

Featuring a collector-emitter voltage (VCEO) of -50 V and a continuous collector current (IC) of -2 A, the PBSS4350S is well-suited for power management, signal amplification, and load switching in consumer electronics, industrial systems, and automotive applications. Its low saturation voltage and high current gain ensure efficient performance, minimizing power losses in switching scenarios.  

The transistor's robust construction and thermal characteristics make it suitable for demanding environments, while its lead-free and RoHS-compliant design aligns with modern environmental standards. Engineers appreciate its balance of performance, size, and reliability, making it a practical choice for a variety of circuit designs.  

For designers seeking a dependable PNP transistor with strong current-handling capabilities, the PBSS4350S offers a compelling solution backed by NXP's expertise in semiconductor technology.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips