30A/ 60V/ ESD Rated/ Avalanche Rated/ Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs # **Enhance Your Designs with the High-Performance RF1S30N06LESM MOSFET**  

The **RF1S30N06LESM** is a cutting-edge N-channel MOSFET designed to deliver superior performance in power management applications. Engineered for efficiency and reliability, this component is an excellent choice for designers seeking robust solutions in switching and amplification circuits.  

With a **30V drain-source voltage (VDS)** and **continuous drain current (ID) of 100A**, the RF1S30N06LESM ensures high power handling in a compact package. Its **low on-resistance (RDS(on)) of just 1.3mΩ** minimizes power losses, making it ideal for energy-sensitive applications such as DC-DC converters, motor drives, and battery management systems.  

The MOSFET features **fast switching speeds**, reducing transition losses and improving overall system efficiency. Its **enhanced thermal performance** ensures stable operation even under demanding conditions, while the **low gate charge (Qg)** allows for efficient high-frequency switching.  

Housed in a **TO-252 (DPAK) package**, the RF1S30N06LESM offers excellent thermal dissipation and mechanical durability. This makes it suitable for space-constrained designs where heat management is critical.  

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer power supplies, the **RF1S30N06LESM** provides a reliable, high-performance solution that meets the demands of modern electronic systems.  

For engineers focused on optimizing power efficiency and thermal performance, this MOSFET represents a smart choice for next-generation designs.