IGBTs & DuoPacks The SGP15N120 from Infineon is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with the following specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 30A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical at I_C = 15A, V_GE = 15V)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SGP15N120 is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is suitable for inverters, motor drives, and industrial power supplies.  
- The device features low conduction and switching losses for efficient operation.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  
- **Robust Construction:** Ensures durability in demanding environments.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SGP15N120 IGBT.