Short Circuit Rated IGBT The **SGW20N60** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns  
- **Rise Time (t_r):** 30 ns  
- **Fall Time (t_f):** 20 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SGW20N60** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600 V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Handling (20 A continuous, 80 A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is commonly used in applications such as:  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Motor control circuits  
- Inverters  
- Industrial power systems  

The information provided is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.