Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGW23N60UFDTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SGW23N60UFDTM  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The SGW23N60UFDTM is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer’s datasheet and technical specifications. No additional guidance or suggestions are included.