N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Copper Leadframe The SI1912EDH is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1912EDH  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.7A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -19A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (at V_GS = -4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI1912EDH is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Suitable for load switching, DC-DC conversion, and battery management systems.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in switching applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact and thermally efficient.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay's official documentation.