Dual P-Channel 2.5V (G-S) MOSFET The SI4963DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A per channel  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 28mΩ at V_GS = 10V  
  - 35mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4963DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  
- Suitable for synchronous rectification, DC-DC converters, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides superior performance in power management.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI4963DY.