Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET The part SI6975DQ is manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI6975DQ  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3 A (per MOSFET)  
- **R_DS(ON) (Max):** 28 mΩ at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per MOSFET)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI6975DQ is a dual N-channel MOSFET designed using Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, optimized for high efficiency and low on-resistance in power management applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.