Low Voltage MOSFETs The **SPB80N03S2L-03** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The **SPB80N03S2L-03** is a **low-voltage N-channel MOSFET** optimized for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **high current capability**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- The **TrenchMOS technology** ensures high power density and thermal performance.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** (80A continuous, 320A pulsed).  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

This information is strictly based on the provided knowledge base without additional suggestions or guidance.