for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPD03N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (min) to 4.5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 320 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8 pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Technology:** N-channel CoolMOS™ C3 (Superjunction MOSFET)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Applications:**  
  - Switch-mode power supplies (SMPS)  
  - Lighting applications  
  - Industrial power systems  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-efficiency power conversion applications.