N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPD23N05 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The SPD23N05 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic Level Compatible:** Can be driven by 5V logic signals.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPD23N05 MOSFET.