Low Voltage MOSFETs The SPD30N03S2L-07 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **R_DS(on) (Max):** 7.5mΩ at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low on-state resistance (R_DS(on))** and **high current handling**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the SPD30N03S2L-07.