for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The SPP02N80C3 is a power MOSFET manufactured by SP (Super Power). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 220pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SPP02N80C3 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, inverters, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive power requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This MOSFET is commonly used in power conversion, motor control, and lighting applications.

for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The **SPP02N80C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPP02N80C3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **SPP02N80C3** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-252 (DPAK) Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the **SPP02N80C3** MOSFET. For detailed application-specific considerations, always refer to the official datasheet.