Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  Characteristic Symbol Test Condition MIN. TYP. MAX.UNITGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = −0.1 mA, V = 0 −20 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = −20 V, V = 0 ⎯ ⎯ −1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = −3 V, I = −0.1 mA −0.6 ⎯ −1.1 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = −3 V, I = −10 mA  (Note2) 25 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = −10 mA, V = −4 V  (Note2) ⎯ 6 8 D GSDrain-Source on-resistance R I = −10 mA, V = −2.5 V (Note2) ⎯ 8 12 Ω DS (ON) D GSI = −1 mA, V = −1.5 V  (Note2) ⎯ 18 45 D GSInput capacitance C ⎯ 11 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = −3 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 3.7 ⎯ pF DS GSrssOutput capacitance C ⎯ 10 ⎯ pF ossTurn-on time t V = −3 V, I = − 10 mA, ⎯ 130 ⎯ on DD DSwitching time ns Turn-off time t V = 0 to −2.5 V ⎯ 190 ⎯ GSoffNote2: Pulse test  Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN0 VOUT  90% 0 IN   10% −2.5V  R L −2.5 V 10 μs V DD(c) V VOUT DS (ON) 90%  V = −3 V DD Duty ≤ 1% 10%  V : t , t < 5 ns V IN r f DDt tr f (Z = 50 Ω)  outCommon Source  t ton off Ta = 25°C   Precaution V can be expressed as the voltage between the gate and source when the low operating current value is I = th D - 0.1 mA for this product. For normal switching operation, V requires a higher voltage than V and V GS (on) th GS (off)requires a lower voltage than V . (The relationship can be established as follows: V < V < V ) th GS (off) th GS (on).Be sure to take this into consideration when using the device.    2 2014-03-017 50 Ω SSM3J16CT     I – V I – V D DS D GS-250 -1000Common Source Common Source Ta = 25°C V = -3 V DSPulse test Pulse test -10 -4 -200 -100-3 -2.7Ta = 100°C-150 -10-2.525°C-2.3−25°C-100 -1-2.1-1.9-50 -0.1-1.7V = -1.5 VGS0 -0.010 -0.5 -1 -1.5 -2 0 -1 -2 -3 -4Drain - Source voltage  V  (V) Gate - Source voltage  V  (V) DS GS  R – V R – I DS (ON) GSDS (ON) D2030 Common Source Common SourceI = -1 mA Ta = 25°C D18Pulse test Pulse test 25 16V = -1.5 V GS1420 121015 8Ta=100℃ 25℃ -2.5 V 10 645 -4 V -25℃ 20 00 -2 -4 -6 -8 -10-1 -10 -100 -1000Drain current  I  (mA) Gate – Source voltage  V  (V) D GS   R – Ta V – Ta DS (ON) th40 -2.0Common Source Common SourcePulse test -1.8I = -0.1 mA D35 V = -3 V DS-1.630 -1.425 -1.2V =−1.5 V, ID=-1mA GS20 -1.0-0.815 -0.6-2.5 V, -10mA 10 -0.45 -0.2-4V, -10mA 0 0−25 0 25 100 50 75 125 150 −25 0 25 50 75 100 125 150Ambient temperature Ta  (°C) Ambient temperature Ta  (°C) 3 2014-03-017 Drain – Source on-resistance  R  (Ω) Drain current  I  (mA) Drain – Source on-resistance DS (ON) DR  (Ω) DS (ON) Drain – Source on-resistance  Gate threshold voltage  V  (V) R  (Ω) Drain current  I  (mA) th DS (ON) DSSM3J16CT     ⎪Y ⎪ – I I – V fs D DR DS1000 250Common SourceCommon Source V =−3 V DSV = 0 V GSTa = 25°C 300 Pulse test Ta = 25°C 200Pulse test D100 150IDRG30 S10010 503 1 0-1 -10 -100 -1000 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4Drain current  I  (mA) Drain - Source  V  (V) D DS  t – I DC – V DS1000 10000Common SourceCommon Source V = 0 V  GSV = -3 V DDf = 1 MHz V = 0~-2.5 V  3000 GSTa = 25°C Ta = 25°C toff100 1000tf 300 ton10 100C isstr C oss 30C rss1   10-0.1 -1 -10 -100 -0.1 -1 -10 -100Drain – Source voltage VDS  (V) Drain current I  (mA) D   P – Ta D250 Mounted on FR4 board (10 mm × 10 mm × 1.0 mm,  2Cu Pad: 100 mm ) 200 150 100 50 0 0 20 60 40 80100 120 140 160Ambient temperature Ta (°C) 4 2014-03-017    Capacitance  C  (pF) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsPower dissipation P (mW) D   Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) DRSSM3J16CT RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own