N-CHANNEL 600V 0.4 OHM 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDMESH POWER MOSFET The STB11NM60A-1 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Descriptions:**  
- The STB11NM60A-1 is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is part of STMicroelectronics' MDmesh™ technology, offering low conduction losses and high switching performance.  
- The device is optimized for high-efficiency power conversion in applications like power supplies, motor control, and lighting.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures reliability under high-energy conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees robustness in harsh environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.