N-CHANNEL 550V @ TjMAX The STB25NM50N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for improved switching performance.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.