N-CHANNEL 800V The STD1NB80 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 75pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD1NB80 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management, switching regulators, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the STD1NB80.

N-CHANNEL 800V The STD1NB80 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST/MAL). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 15pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 5pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The STD1NB80 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and high voltage capability, making it suitable for use in power supplies, inverters, and motor control circuits.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (800V)**  
- **Low Input Capacitance**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Low On-Resistance**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD1NB80. For detailed application notes and reliability data, refer to the manufacturer's documentation.