N-CHANNEL 200V The STD4N20 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STD4N20 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **100% Tested for R_DS(on)**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.