N-CHANNEL 24V The STD50NH02L is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 25V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.02Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 3V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 175°C  
### **Description:**  
The STD50NH02L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  
### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** (50A continuous, 200A pulsed).  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **TO-252 (DPAK) package** for surface-mount applications.  
- **100% avalanche tested** for robustness.  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.