N-CHANNEL 30V 0.0075 OHM 60A DPAK STRIPFET II POWER MOSFET The STD60NF3LLT4 is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Technology:** STripFET™ III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 3.3 mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 4.5 mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (min) – 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 80nC (typ) at V_DS = 15V, V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 240pF (typ)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and power management.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **100% Avalanche Tested:** Guarantees reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the STD60NF3LLT4.