N-channel 600 V, 0.37 Ohm, 10 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package The **STP11NM60N** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 - 5 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **STP11NM60N** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is built using ST’s advanced MDmesh™ technology, which provides low on-resistance and high switching performance. It is suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (600 V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **100% Avalanche Tested**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This MOSFET is commonly used in industrial, automotive, and consumer applications requiring efficient power management.