N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET The STP55NE06 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics  
### **Part Number:** STP55NE06  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Description:**  
The STP55NE06 is a rugged N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for automotive, industrial, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- 100% avalanche tested  
- Low thermal resistance  
- TO-220 package  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.