N-CHANNEL 600V 12 OHM 0.3A SO-8 POWERMESH II MOSFET The **STS1NC60** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 45pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 8pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- Utilizes **MDmesh™ technology** for improved efficiency and reduced switching losses.  
- Suitable for **power supplies, lighting, and motor control** applications.  
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **Low input and output capacitances** enhance high-frequency performance.  

This MOSFET is optimized for **energy-efficient and compact designs** in power conversion systems.