N-CHANNLE ENHANCEMENT MODE VERY LOW GATE CHARGE POWER MOS TRANSISTOR The STW15NB50 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The STW15NB50 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other power management systems.  

### **Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Improved dv/dt capability for robustness  
- Avalanche ruggedness for reliability in harsh conditions  
- 100% avalanche tested for quality assurance  

This information is based on the manufacturer's datasheet.