**Part Number:** SUB60N06-18  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 18mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High current handling capability** for power applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** suitable for high-efficiency circuits.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  
- **Designed for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.**  

(Source: Vishay datasheet for SUB60N06-18.)