1200V / 300A 2 in one-package The **2MBI300S-120** is a high-performance **dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module** designed for power electronics applications requiring efficient switching and robust performance. This module integrates two IGBTs with anti-parallel diodes, making it suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems.  

With a voltage rating of **1200V** and a current rating of **300A**, the 2MBI300S-120 is engineered to handle high-power operations while maintaining thermal stability. Its low saturation voltage and fast switching characteristics contribute to reduced power losses, enhancing overall system efficiency.  

The module features an **NPT (Non-Punch Through) IGBT structure**, ensuring reliable operation under demanding conditions. Its compact and isolated package design simplifies thermal management and installation in various configurations. Additionally, the built-in diodes provide effective freewheeling, improving circuit protection and performance.  

Designed for industrial and renewable energy applications, the 2MBI300S-120 offers durability and precision, making it a preferred choice for engineers working on high-voltage, high-frequency power conversion systems. Its robust construction and advanced semiconductor technology ensure long-term reliability in challenging environments.  

For applications requiring efficient power control and high switching speeds, the 2MBI300S-120 stands as a dependable solution in modern power electronics.