Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 The 2N6576 is a silicon NPN power transistor manufactured by Motorola (MOT). It is designed for use in high-power amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 350V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 350V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V
- **Collector Current (I_C):** 15A
- **Power Dissipation (P_D):** 150W
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +200°C
- **Package Type:** TO-3

These specifications are based on Motorola's datasheet for the 2N6576 transistor.