Silicon PNP Power Transistors The 2SA1120 is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: PNP silicon transistor
- **Manufacturer**: Toshiba
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (depending on the specific variant)
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the standard datasheet provided by Toshiba for the 2SA1120 transistor.