Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V The 2SA1411 is a PNP silicon transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SA1411 transistor as provided by NEC.

Very high DC current gain:hFE=500 to 1600. High VEBO Voltage:VEBO=-10V The 2SA1411 is a PNP silicon transistor manufactured by NEC. Here are the key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -120V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -120V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V
- **Collector Current (IC)**: -1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the NEC datasheet for the 2SA1411 transistor.